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10.14128/j.cnki.al.20193902.211

选区激光熔化AlSi10Mg应力场数值模拟研究

引用
采用ANSYS有限元软件,利用热-结构间接耦合的方法建立单层多道的应力场模型,对选区激光熔化AlSi10Mg应力场进行模拟.分析了内应力的分布和演变规律,以及不同曝光时间和点间距对残余应力的影响.研究发现,温度均匀化后熔池搭接区域的残余应力高(最高残余应力),中心区域的残余应力低(最低残余应力).随着ET和PD的增加,最高残余应力逐渐增大.然而,进一步增加PD,缺陷的形成导致应力有所降低.随着ET的增加和PD的降低,最低残余应力增加.

选区激光熔化、AlSi10Mg、数值模拟、应力场

39

TH132.3

国家自然科学基金;山西省重点实验室开放基金

2019-06-21(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共6页

211-216

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