1 880 nm侧向耦合分布反馈激光器的研究

摘要：

完成1 880 nm高阶锑化镓侧向耦合分布反馈半导体激光器的制备.采用侧向耦合(Lateral coupled)结构使得外延材料可以一次生长完成,避免了外延层中Al组分容易氧化的特性导致的二次外延生长困难的问题,采用接触式紫外光刻技术制备了高阶光栅,大大降低了激光器的制备成本,实现了室温1 880 nm单模连续波长激射,最大输出功率14.5 mW,波长随温度漂移速率0.000 5 nm/mA.

关键词：侧向耦合分布反馈激光器、LC-DFB、镓锑基激光器、高阶光栅

所属期刊栏目：37

分类号：TN383(半导体技术)

资助基金：国家重点基础研究发展计划（973计划）;国家重点基础研究发展计划（973计划）;国家重大仪器专项;国家自然科学基金;国家自然科学基金;国家自然科学基金;中国科学院战略性先导科技专项

在线出版日期：2018-01-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：727-731