外磁场对飞秒激光激励半导体材料的太赫兹辐射的影响

摘要：

为了研究在半导体上施加外磁场对太赫兹辐射的影响,基于drude-Lorentz模型对三种不同的半导体材料GaAs、InAs、InSb在不同的外磁场方向下太赫兹辐射功率的变化进行了研究.研究结果发现,外磁场对具有较小有效质量和较高电子迁移率的半导体材料的太赫兹辐射增强效应最明显.此外,太赫兹辐射最强时GaAs和InAs的最佳外磁场方向是沿y轴负方向,InSb的最佳外磁场方向是在与x轴及相反方向成40°夹角的x-z平面内.

关键词：太赫兹辐射、drude-Lorentz模型、外磁场、辐射增强

所属期刊栏目：37

分类号：O433.4(光学)

资助基金：湖北省教育厅中青年人才项目Q20163001

在线出版日期：2018-01-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：715-721