多次回流下Au80Sn20微观演变及对半导体激光性能影响

摘要：

研究了在多次回流下Au80Sn20焊层的微观演变机制及对半导体激光性能的影响,为采用自动化精密校准机械设备,多次回流实现激光叠阵自动化高精度封装提供技术支持.实验中,采用扫描电镜对不同回流次数下Au80Sn20焊层金属化合物(IMC)的SEM形貌特征进行了观察,并做EDS能谱组分分析.同时,对多次回流过程中各阶段进行光电性能测试,分析Au80Sn20焊料在多次回流焊接下的微观演变,以及对激光光电性能的影响.实验结果表明:对于相同芯片,同一封装形式,同批次的器件,在340℃,30 s的回流焊接条件下,多次回流加热2～6次,即340℃间歇循环作用180 s以内,Au80Sn20焊层演变主要在于微观相形态的变化,对激光光电性能影响不大;在加热到8～10次时,即340℃间歇循环作用300 s左右,Au80Sn20焊层与芯片边界处出现柯肯达尔空洞;12～20次后,即340℃间歇循环作用至600 s,柯肯达尔空洞融合变大,数量增多,致使半导体激光光电性能明显下降.

关键词：半导体激光叠阵、Au80Sn20焊料、回流焊接、柯肯达尔空洞

所属期刊栏目：37

分类号：TN248.4(光电子技术、激光技术)

在线出版日期：2018-01-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：674-680