1064nm高反射膜的PECVD法制备及其抗激光损伤性能

摘要：

采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法制备氮化硅(SiNx)和含氟氧化硅(SiQxLy)薄膜,探讨了薄膜材料的最佳制备工艺参数,明确了薄膜光学特性与气体流量、射频功率、反应压强等制备工艺参数的关系;设计并制备了1 064 nm高反射膜,并与PVD法制备的Ta2 O5/SiO2高反膜进行对比,结果表明,其反射率在99.0％左右时,PECVD法制备的高反膜具有较高的抗激光损伤阈值,约为PVD法的2倍.

关键词：薄膜、PECVD、高反膜、损伤阈值

所属期刊栏目：37

分类号：O484(固体物理学)

资助基金：陕西省教育厅重点实验室科学研究项目16JS037

在线出版日期：2017-06-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：288-291