激光刻蚀制备微波介质陶瓷滤波器工艺研究

摘要：

采用激光在微波介质陶瓷滤波器的镍、铜、银的镀层表面刻蚀制备耦合电容图形.分别研究了激光刻蚀功率、激光刻蚀速度对图形微槽深度、产品合格率和产品二次污染率的影响.结果表明,在激光刻蚀速度一定时,耦合电容图形微槽的深度、产品的二次污染率随激光刻蚀功率先增大后减小,激光刻蚀功率为15 W时达到最大值;在激光刻蚀功率一定时,耦合电容图形微槽的深度、产品的二次污染率随激光刻蚀速度的增大而减小.产品合格率在激光刻蚀速度一定时,激光刻蚀功率达到13 W以后保持在95％以上;在激光刻蚀功率一定时,激光刻蚀速度达到1 000 mm/min以前保持在95％以上.因此最佳的激光刻蚀参数为:刻蚀速度为800 mm/min,刻蚀功率为18 W.

关键词：激光、介质陶瓷、刻蚀、滤波器

所属期刊栏目：35

分类号：TN249;TG665(光电子技术、激光技术)

资助基金：浙江省自然科学基金;嘉兴市科技计划

在线出版日期：2015-12-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：583-587