用相干激光束曝光孔点阵列图形的几种方法

摘要：

将涂有光致抗蚀剂的硅片或其它光敏材料置于由多束相干光以某种方式组合构成的干涉场中,可以在大视场和深曝光场内形成孔、点或锥阵周期图形,光学系统简单廉价,不需掩模和高精度大NA光刻物镜,采用现行抗蚀剂工艺.文中介绍的双光束双曝光法得到的阵列图形周期d的极限为dmin=λ/2,四光束单曝光的周期略大,为前者的 2 倍,三光束单曝光得到2/ 3 d周期的图形,并且图形不受基片在曝光场中位置的影响,适合大面积尺寸器件中周期图形的制作,而三光束双曝光和五光束曝光的结果是周期为2d的阵列图形,并且沿光轴方向光场随空间位置也作周期变化,适合在大纵深尺寸范围内调制物体结构.

关键词：激光干涉光刻、无掩模、光刻技术

所属期刊栏目：25

分类号：TN2(光电子技术、激光技术)

资助基金：中国科学院资助项目60276043

在线出版日期：2005-12-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共2页

页码：327-328