微磁检测中表面切向磁场强度的线性外推测量方法

摘要：

表面切向磁场强度是微磁检测中磁特征信号的重要解析标度,其测量精度直接影响微磁检测结果的精度.提出利用霍尔元件阵列同步测取不同提离位置的切向磁场强度,基于线性外推原理准确测量表面的切向磁场强度的新方法.采用有限元仿真优化设计出磁场调整结构,放置于微磁传感器U型磁芯内跨距,可降低切向磁场强度沿提离方向的变化速率,提升线性外推法的精度并抑制提离波动对测量结果的影响.在65Mn钢板中进行的实验测试结果表明,相比电流估算法和单一霍尔元件测量法,应用线性外推法时传感器对磁滞回线的测量精度更高.此外,当磁芯与试件表面的提离处于O ～0.5mm范围时,应用线性外推法时传感器对65Mn钢板磁特性参数(饱和磁感应强度和剩余磁感应强度)的测量误差均小于1.13％.

关键词：线性外推法、切向磁场强度、磁场调整结构、磁滞回线

所属期刊栏目：28

分类号：TM154(电工基础理论)

资助基金：国家自然科学基金;国家自然科学基金;北京市自然科学基金

在线出版日期：2020-05-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共11页

页码：235-245