二维层状六方氮化硼在芯片散热中的应用

摘要：

层状六方氮化硼(h-BN)作为典型的二维材料之一,近年来由于其优良的物理化学特性受到广泛关注,本文利用其横向热导率高、绝缘性能好的特点,将其用于功率芯片表面,作为帮助芯片上局部高热流热点横向散热的绝缘保护层.分别将化学气相沉积法制备的单层h-BN薄膜和微米级h-BN颗粒转移到热测试芯片表面,通过加载不同功率,观察h-BN对芯片散热性能的影响.采用电阻-温度曲线法和红外热像仪两种方法对热测试芯片的热点温度进行检测.研究结果表明,h-BN应用到热测试芯片表面,在加载功率约为1W时,可以将芯片热点温度降低3～5℃,从而提高芯片散热效率,并且通过对比发现单层h-BN薄膜表现出更为理想的散热效果.

关键词：氮化硼、热测试芯片、单层、散热

所属期刊栏目：24

分类号：TM281(电工材料)

资助基金：国家自然科学基金;国家自然科学基金;上海市科委项目;安徽省教育厅自然科学研究项目;安徽省教育厅自然科学研究项目;安徽省教育厅自然科学研究项目;上海市教委高峰学科建设计划;欧盟第七科技框架计划;瑞典战略研究框架项目

在线出版日期：2016-03-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页码：210-217