硅半导体放电加工中的肖特基势垒特性研究

摘要：

金属夹具与半导体接触会形成肖特基势垒,为了研究该势垒对半导体放电加工的影响,利用二极管和电阻模型建立了等效电路.固定端和放电端形成的肖特基势垒,都可等效成二极管,在放电回路中一个处于正向偏置,另一个处于反向偏置.本文通过两端金属进电的方法,研究了肖特基势垒对放电电流的影响,理论研究发现了半导体放电伏安曲线的3个特征量:导通角、击穿点和击穿角,并通过实验方法测量伏安曲线,找到了这3个特征量的关系.击穿角由电路中的电阻决定,与肖特基势垒无关,而导通角和击穿点由肖特基势垒决定,与电阻无关.

关键词：硅半导体、放电加工、肖特基势垒、伏安曲线、击穿电压

所属期刊栏目：19

分类号：TG662;TN301.1

资助基金：国家自然基金50975142;江苏省科技支撑计划BE2009161;江苏省博士后基金项目1002009C

在线出版日期：2012-01-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：664-671