单自由度结构的磁流变阻尼顶层隔振

摘要：

提出了应用磁流变阻尼装置的顶层隔振控制方法.首先,对小质量比TMD的控制理论进行了深入研究,将最优TMD参数的计算公式推广到大质量比范围.以大质量比TMD控制的减振机理为基础,对顶层隔振结构的动力特性进行了研究,对参数影响进行了分析,建立了合理的顶层隔振结构体系;其次,引入磁流变阻尼器对顶层隔振结构的隔振层进行控制,避免TMD控制范围较窄和隔振层变形过大等弱点;最后,对单自由度结构进行了顶层隔振控制.理论分析结果证明:以大质量比TMD理论为基础的顶层隔振控制方法是有效的,结合了磁流变阻尼器的控制后可以避免这种方法的一些弱点,在不增加结构自重的前提下,能够保证结构良好的控制效果,隔振层的位移和结构层的加速度都得到较好的控制,控制效果达到30%左右,以磁流变阻尼器半主动控制效果最好.

关键词：顶层隔振结构、磁流变阻尼器、TMD系统、半主动控制

所属期刊栏目：14

分类号：TU352.11(建筑结构)

资助基金：哈工大博士后基金

在线出版日期：2007-03-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：506-513