《光刻胶材料》专辑序言——光刻胶材料助力"中国芯"

摘要：

光刻是指通过紫外光曝光将掩膜图形转移到基底表面光刻胶上的工艺,是微纳加工制造中最关键的技术之一.1952年,光刻被首次用于集成电路的制造,自此信息技术得到了飞速发展.光刻工艺是芯片制造中难度最大、耗时最久的工艺,成本约占整个芯片生产成本的1/3.在整个光刻工艺中,光刻机是核心要素,光刻胶则是实现精细图形加工制备集成电路的关键材料.光刻工艺的发展主要依靠光源波长的不断缩小,从g线(436 nm)、i线(365 nm)、KrF(248 nm)、ArF(193 nm)再到如今的极紫外(EUV,13.5 nm),集成电路的制程工艺在不断进步,光刻胶也随之不断更新换代.

所属期刊栏目：38

分类号：O644(物理化学（理论化学）、化学物理学)

在线出版日期：2021-11-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共2页

页码：1027-1028