胍基硅前驱体的合成及应用

摘要：

以胍基取代的二甲基二氯硅烷与胺基锂反应合成了3种硅基化合物,使用核磁共振、高分辨质谱、元素分析对化合物结构进行了表征,通过热重分析(TGA)研究了化合物的热稳定性、挥发性、蒸汽压等性能.3种化合物均具有良好的热稳定性及挥发性,无明显热分解过程,固体残留小于1％,接近纯挥发过程,最高蒸汽压在3600～5300 Pa,满足前驱体使用要求.以二甲基-胍基-甲乙胺基-硅烷为前驱体,采用螺旋波等离子体气相沉积(HWPCVD)工艺制备了硅基薄膜,使用X射线光电子能谱(XPS)和扫描电子显微镜(SEM)分析了薄膜的化学组成和膜表面结构,XPS分析结果证实该薄膜为Si、N、C组成,实验结果表明,该类胍基硅化合物可作为硅基化学气相沉积(CVD)前驱体材料应用于集成电路制造.

关键词：胍基、前驱体、化学气相沉积、应用

所属期刊栏目：36

分类号：O627(有机化学)

资助基金：国家科技重大专项"极大规模集成电路制造装备及成套工艺"2016ZX02301003-004-004

在线出版日期：2019-11-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：1179-1185