10.11944/j.issn.1000-0518.2016.02.150264
含铌电容材料的制备及其性能
以草酸铌铵和葡萄糖为原料,经水热反应在泡沫镍基底上负载了含Nb的电容材料.通过红外光谱仪(FFIR)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)等技术手段对制备的样品进行表征,比较不同条件下的含Nb电容材料的表面形貌,得出水热反应的最佳工艺条件,并对样品的电化学性能进行了研究.结果表明,制备含Nb电容材料的最佳工艺条件是葡萄糖和草酸铌铵的摩尔比为7∶1,反应温度200℃,反应时间18h,在此条件下,负载在泡沫镍上的含Nb氧化物的量为0.3707 g/cm2;当充放电电流密度为0.5 A/g时,含Nb电容材料的最大比电容能达到189.47 F/g,经过1000次循环后,其放电比电容的保持率仍保持在95%以上,是一种具有应用前景的超级电容器材料.
泡沫镍、含铌电容材料、电流密度、比电容
33
O614.5(无机化学)
辽宁省教育厅科研项目2008502;Foundation of Liaoning Educational Committee2008502
2016-03-16(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共8页
221-228