8-羟基脱氧鸟苷在壳聚糖/石墨烯修饰电极上的电化学及DNA氧化损伤检测
采用循环伏安(CV)、线性扫描伏安(LSV)和示差脉冲伏安(DPV)等方法研究了8-羟基脱氧鸟苷(8-OHdG)在壳聚糖(Chi)/石墨烯(GR)修饰的玻碳电极(GCE)上的电化学行为,8-OHdG在该修饰电极上氧化峰电流与其浓度在3.5 ×10-7~1.4×10-4 moL/L范围内呈良好的线性关系,检测限为6.4×10-8 moL/L(S/N =3).将Chi/GR/GCE用于检测DNA氧化损伤,8-OHdG在修饰电极上的氧化峰电流与损伤的DNA质量浓度在10~300 mg/L范围内呈良好的线性关系,损伤DNA检出限为0.026 mg/L(S/N=3).
羟基脱氧鸟苷、壳聚糖、石墨烯、DNA氧化损伤、电化学检测
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O657.1(分析化学)
the Priority Academic Program Development of Jiangsu Higher Education Institutions164320H106;江苏高校优势学科建设工程资助项目164320H106
2014-03-14(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共6页
200-205