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10.3969/j.issn.1000-0518.2006.09.009

纳米Al2O3掺杂对Ce0.8Y0.2O2-δ晶界离子电导的影响

引用
研究了纳米Al2O3第2相掺杂对Ce0.8Y0.2O2-δ固体电解质晶界离子电导率的影响. 结果发现,掺杂少量纳米Al2O3可降低固体电解质的晶界电导活化能,中低温下的晶界离子电导率显著上升. 分析表明,掺杂第2相在晶界处的偏聚改善了晶界的离子导电通道结构,是导致晶界离子电导率上升的主要原因.

Ce0.8Y0.2O2-δ固体电解质、Al2O3、晶界离子电导率

23

O614.3;TQ174(无机化学)

贵州省科技厅自然科学基金黔科合J字20052091

2006-10-10(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

978-981

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应用化学

1000-0518

22-1128/O6

23

2006,23(9)

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