10.3969/j.issn.1000-0518.2006.09.009
纳米Al2O3掺杂对Ce0.8Y0.2O2-δ晶界离子电导的影响
研究了纳米Al2O3第2相掺杂对Ce0.8Y0.2O2-δ固体电解质晶界离子电导率的影响. 结果发现,掺杂少量纳米Al2O3可降低固体电解质的晶界电导活化能,中低温下的晶界离子电导率显著上升. 分析表明,掺杂第2相在晶界处的偏聚改善了晶界的离子导电通道结构,是导致晶界离子电导率上升的主要原因.
Ce0.8Y0.2O2-δ固体电解质、Al2O3、晶界离子电导率
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O614.3;TQ174(无机化学)
贵州省科技厅自然科学基金黔科合J字20052091
2006-10-10(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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978-981