416nm纳秒脉冲激光对CCD损伤机理研究

摘要：

开展了416 nm纳秒脉冲激光对CCD的损伤实验,观察到了CCD从点损伤到线损伤,再到面损伤的过程,并计算出了点损伤、线损伤和面损伤所对应的损伤能量密度阈值分别为16.7 mJ/cm2～71.9 mJ/cm2、61.0 mJ/cm2～207.8 mJ/cm2和352.6 mJ/cm2;通过对不同损伤状态CCD的损伤点表面显微图像的分析,以及不同损伤状态对应的CCD各电极之间电阻值的测量,得出不同损伤状态主要由二氧化硅绝缘层材料相变引起电阻值改变所产生;COMSOL软件仿真显示CCD各层最先产生熔融的是二氧化硅绝缘层,能量密度为420 mJ/cm2,与实验结果相接近.实验结果证明了CCD损伤机理分析方法的正确性.

关键词：电荷耦合器件、光电对抗、损伤能量密度阈值、材料相变

所属期刊栏目：42

分类号：TN249(光电子技术、激光技术)

资助基金：国防预研项目

在线出版日期：2021-06-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：534-541