10.3969/j.issn.1002-2082.2011.01.026
掺铈氧化钛薄膜光吸收性能的研究
利用射频磁控溅射法制备出TiO2 薄膜及不同掺 Ce 比的 TiO2 薄膜.用紫外-可见分光光度计对薄膜的透过率做了测定,结果显示在一定掺杂范围内随着掺Ce 量的增加,薄膜的光学吸收边出现红移.计算发现通过CeO2 的掺杂,氧化钛薄膜禁带宽度 Eg 由 3.40 eV 减小至2.73 eV,从而使吸收边由366 nm 红移至455 nm 处,增强了对可见光的吸收,这与CeO2 在TiO2 导带与价带间引入杂质能级有关.
TiO2薄膜、禁带宽度、Ce、红移
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O484.4(固体物理学)
国家大学生创新性实验计划基金0910697008
2011-06-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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