10.3969/j.issn.1002-2082.2009.02.025
GaAs-玻璃粘接阴极组件热辐射放气成份质谱分析
为解决负电子亲合势GaAs光电阴极电子发射灵敏度低的问题,运用质谱计对GaAs-玻璃粘接阴极组件在高温热辐射除气时的放气成份进行了分析, 获得了GaAs电子发射层原子级表面.结果表明:组件150℃为表面放气,450℃为材料体内放气,580℃为洁净表面获得温度,大于650℃时GaAs发射层面有As蒸发.这说明严格控制发射层表面洁净温度,是保证制备高性能阴极灵敏度的关键.
GaAs组件、玻璃粘接、热辐射除气、质谱分析
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TN14(真空电子技术)
2009-06-19(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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