低磁控溅射率MCP防离子反馈膜工艺研究

摘要：

为消除反馈正离子对三代微光夜视器件光阴极的有害轰击,提高微光像增强器的工作寿命,开展了低磁控溅射率法沉积微通道板(MCP)Al2O3防离子反馈膜的工艺研究.通过优化制备工艺,获得了制备MCP防离子反馈膜的最佳沉积条件:溅射电压1000 V,溅射气压(4～5)×10-2Pa,沉积速率0.5 nm/min等.研究结果表明:在此工艺条件下,能够制备出均匀、致密且通孔满足质量要求的MCP防离子反馈膜.如果偏离这一最佳工艺条件,制备出的MCP防离子反馈膜膜层疏松、不连续,且通孔不能满足要求.

关键词：磁控溅射、微通道板(MCP)、防离子反馈膜

所属期刊栏目：29

分类号：TN223(光电子技术、激光技术)

在线出版日期：2008-07-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：360-363