三代微光像增强器制管工艺对阴极光电发射性能的影响

摘要：

主要论述制管工艺对光电阴极发射性能的影响.通过分析仪器和光学检测方法对管子阴极制备的台内及台外工艺质量进行了在线追踪和监测,结果表明,影响台外工艺质量的主要因素是外延材料缺陷多、发射层表面氧化、杂质污染、掺杂浓度不均匀、掺杂浓度陡度变化小及GaAs与玻璃粘接产生的应力大;影响台内工艺质量的主要因素为阴极激活真空度低于8×10-8Pa,真空残气H2O,CO,CO2及C分压大于10-8Pa,阴极激活铯和氧源提纯不彻底.利用透反射光照法激活台内对组件表面测线,发现发射层表面针孔、裂纹和发雾是造成阴极发射性能低的关键因素.

关键词：微光像增强器、阴极光电发射、激活灵敏度、GaAs、在线检测

所属期刊栏目：25

分类号：TN223;TN144-34(光电子技术、激光技术)

在线出版日期：2004-10-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：30-32,46