GaAs光电阴极热清洗工艺研究

摘要：

GaAs光电阴极在进行Cs-O激活前,激活层表面必须达到原子级洁净.最常用且最有效的洁净方法是高温热清洗法.然而,在热清洗过程中对处在真空系统中的光电阴极表面温度进行精确测量却是非常困难的.本文采用四极质谱仪对GaAs光电阴极激活前的热清洗过程进行分析,确定了最佳的热清洗温度及热清洗工艺,较好地解决了GaAs光电阴极激活前的热清洗工艺问题.

关键词：四极质谱仪、光电阴极、热清洗、温度

所属期刊栏目：25

分类号：TN304.2+3;TN305.97(半导体技术)

在线出版日期：2004-08-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：31-32,40