10.3969/j.issn.1002-2082.2001.02.009
高质量氮化镓材料的光致发光研究
利用氨气源分子束外延(GSMBE)技术,在改型Ⅳ型分子束外延设备上生长高质量GaN单晶外延材料,并对样品进行了光致发光测量。分析室温和低温光致发光谱,系统地研究GaN的发光峰及其起源,并对常见的黄色发光带现象及其微结构起因进行探讨。
氮化镓、光致发光、分子束外延
22
O432.1+2-34(光学)
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
35-38
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10.3969/j.issn.1002-2082.2001.02.009
氮化镓、光致发光、分子束外延
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O432.1+2-34(光学)
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
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