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10.3969/j.issn.1673-8012.2010.05.017

抗坏血酸在聚L-谷氨酸修饰玻碳电极上的电化学行为研究

引用
采用电聚合的方法制备了聚L-谷氨酸修饰玻碳电极,该修饰电极对抗坏血酸(AA)具有良好的电催化作用,并对实验测定条件进行了优化.实验结果表明,在pH=4.0的邻苯二甲酸氢钾缓冲溶液中,扫描电位为-0.2~1.0 V范围内,抗坏血酸在聚L-谷氨酸修饰玻碳电极表面出现稳定的氧化峰.氧化峰的峰电流(Ipa)与抗坏血酸的浓度在2.0×10-5~2.0×10-3mol/L范围内有良好的线性关系,最低检测限可达2.0×10-6mol/L.该电极制备方便,有良好的稳定性和重现性.

L-谷氨酸、修饰玻碳电极、抗坏血酸测定

29

O657(分析化学)

2011-03-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共5页

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重庆文理学院学报(自然科学版)

1673-8012

50-1183/N

29

2010,29(5)

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