博莱霉素在Ni/GC离子注入修饰电极上的电化学行为及其应用

摘要：

目的:研究博莱霉素在Ni/GC离子注入修饰电极上的电化学行为及其应用.方法:博莱霉素在0.1mol·L-1HAc-NaAc (pH4.62)缓冲溶液中,用离子注入镍的修饰玻碳电极为工作电极进行伏安测定.结果:得到一良好的还原峰,峰电位Ep=-1.16V(vs.SCE).峰电流与博莱霉素浓度在1.0×10-6～1.4×10-5mol·L-1范围内成线性关系.检出限为8.0×10-7mol·L-1.并用于尿样的测定,得到满意的结果.用线性扫描和循环伏安法研究了体系的电化学行为.用奥歇电子能谱(AES)和光电子能谱(XPS)等表面分析技术检测了注入电极表面的元素组成、价态和深度分布,对离子注入电极的催化性质进行了探讨.结论:体系属两电子还原的不可逆过程.

关键词：博莱霉素、电化学行为、伏安法、Ni离子注入、修饰电极

所属期刊栏目：35

分类号：R9(药学)

资助基金：中国科学院资助项目29875003;高等学校博士学科点专项科研项目

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：128-130