中性硼硅玻璃安瓿中铝、硅、硼元素的迁移量与其内表面脱片趋势关系的研究

摘要：

目的:考察中性硼硅玻璃安瓿中铝(Al)、硅(Si)、硼(B)元素的迁移量与内表面脱片趋势的关系.方法:采用亚甲基蓝染色及扫描电子显微镜(scanning electron microscope,SEM)法观察中性硼硅玻璃安瓿被侵蚀液侵蚀后的脱片情况,并通过电感耦合等离子体发射光谱(inductively coupled plasma optical emissionspectrometer,ICP-OES)法测定不同侵蚀时间的中性硼硅玻璃安瓿中Al、Si、B元素的迁移量,根据迁移量的变化及脱片的趋势确定二者之间的关系.结果:电感耦合等离子体发射光谱法测定的3种元素质量浓度在0.2～10.0 mg· L-1范围内线性关系良好,相关系数为0.999 4～0.999 9;回收率为88.2％～100.5％;3种元素检测下限分别为0.001 5tg· mL-1(Al)、0.002 9μg· mL-1(Si)、0.020 5μg·mL-1(B).随着时间增加,Al、Si、B的迁移量不断增大,对应时间点的脱片情况也不断加剧,二者呈同向变化关系.结论:可通过ICP-OES检测药物溶液中Al、Si、B的含量来推断包装液体药物的中性硼硅玻璃安瓿内表面的脱片情况.

关键词：电感耦合等离子体发射光谱法、包材相容性、中性硼硅玻璃安瓿、迁移量测定、脱片

所属期刊栏目：39

分类号：R917(药物基础科学)

在线出版日期：2020-05-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：2214-2220