双氢青蒿素在单壁碳纳米管修饰电极的伏安行为与测定

摘要：

目的:研究双氢青蒿素在单壁碳纳米管修饰电极上的电化学行为及测定.方法:制备单壁碳纳米管(SWCNT)修饰玻碳电极,并用扫描电子显微(SEM)法、伏安法、电化学交流阻抗法对所制备的修饰电极进行表征.以此为工作电极,用线性扫描伏安法测定双氢青蒿素.结果:在pH=7.0,0.1 mol·L~(-1)的磷酸盐缓冲溶液(PBS)中,5.0×10~(-4)mol·L~(-1)双氢青蒿素在单壁碳纳米管修饰玻碳电极上还原峰电位为-0.85 V,比同浓度双氢青蒿素在裸玻碳电极上的峰电位正移了270 mV,峰电流显著增大.在优化实验条件下,还原峰电流与双氢青蒿素浓度在5.0×10~(-7)～5.0×10~(-4)mol·L~(-1)的范围内呈线性关系,检出限为3.0×10~(-7)mol·L~(-1).对5.0×10~(-4)mol·L~(-1)的双氢青蒿素平行测定10次的RSD为1.7%.结论:该方法简单、快速、灵敏,可用于含双氧青蒿素样品的含量测定.

关键词：单壁碳纳米管、双氢青蒿素、伏安法、玻碳电极

所属期刊栏目：30

分类号：R917(药物基础科学)

资助基金：海外及港澳学者合作研究基金21308014

在线出版日期：2010-05-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：431-434