汞膜修饰玻碳电极测定文法拉新的研究

摘要：

目的:研究形成汞膜修饰玻碳电极的最佳条件及该修饰电极用于药物文拉法新的测定.方法:在含有汞离子的1.0 mol·L-1硫酸溶液中,采用在负电位下还原的方法,研究了在玻碳电极(GCE)上修饰汞膜的最佳条件;用循环伏安法测定文拉法新.结果:在玻碳电极上修饰汞膜的最佳条件是:在含有2.0 ×10-4 mol·L-1汞离子的1.0 mol·L-1硫酸溶液中,在-0.8 V电位还原50 s.用循环伏安法测定文拉法新(VEN),在汞膜玻碳电极上VEN的氧化电位为0.33 V,且峰电流比在裸玻碳电极要大得多.在测定VEN时,多巴胺、抗坏血酸、葡萄糖、尿素以及一些常见碱金属和碱土金属阳离子及阴离子对文拉法新的测定没有干扰,Ag+、Sb3+、Bi3+等干扰严重.测定VEN的线性范围为:1.5×10-6～6.0×10-4mol·L-1,检出限为8.0×10-7mol·L-1.结论:制得的汞膜玻碳电极具有较好的重现性,且制作方法简便,表面更新容易.用于VEN的测定具有较宽的线性范围和较低的检出限,建立了一种测定VEN的新方法.

关键词：汞膜修饰玻碳电极、测定、文拉法新、循环伏安法

所属期刊栏目：29

分类号：O657.1(分析化学)

在线出版日期：2009-08-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：1134-1137