Y-W掺杂AgSnO2触头材料电性能理论研究

摘要：

为提高AgSnO2材料的导电性,对SnO2材料进行掺杂研究.利用第一性原理,通过原子替代的方法,分别用Y、W元素单掺SnO2以及共掺的形式,将SnO2中的Sn元素以16.7％的比例进行原子替换,计算掺杂后SnO2的晶格参数、能带结构、态密度和电荷布局.结果表明:掺杂后的SnO2晶胞,体积增大.通过能带和态密度分析得出,单掺与共掺之后的材料导带底部和价带顶部均向费米能级靠近,共掺后Y的4d轨道使导带宽度变窄,Y的4d轨道和W的5d轨道同时作用,形成杂质能级,帮助电子跃迁,导电性增强.共掺后原子的成键方式改变,新生成Y—O键和W—O键.共掺后的材料比单掺更能增加SnO2的导电性,为之后AgSnO2触头材料的研究提供了理论依据.

关键词：AgSnO2触头材料、第一性原理、Y与W共掺杂、电性能

所属期刊栏目：10

分类号：TM501(电器)

资助基金：国家自然科学基金资助项目51777057

在线出版日期：2020-11-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：1-6