硫化矿细菌浸出的半导体能带理论分析

摘要：

许多硫化矿物为半导体,硫化矿氧化浸出过程实际是-半导体-溶液界面电子或空穴转移的过程.基于传统的半导体界面氧化理论,系统分析细菌存在时硫化矿-溶液界面电子或空穴转移步骤,提出黄铁矿、黄铜矿、铜兰细菌浸出过程的半导体-溶液界面电子及空穴转移模型,从半导体能带理论角度揭示了硫化矿细菌氧化浸出机理.

关键词：冶金物理化学、硫化矿、半导体溶液界面、浸出、氧化机理、电化学

所属期刊栏目：56

分类号：TF01;TF803.21;TF111.31(一般性问题)

资助基金：国家自然科学基金50204001

在线出版日期：2004-09-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：35-37,48