10.3969/j.issn.2095-1744.2004.02.019
硫化矿浸出过程的半导体-溶液界面分析
硫化矿氧化浸出过程实际是半导体-溶液界面电子或空穴转移的过程,基于传统半导体界面氧化理论,根据硫化矿半导体表面能级与溶液氧化还原对的关系,系统分析硫化矿-溶液界面电子或空穴转移步骤,揭示了硫化矿在氧化溶液介质中的氧化浸出机理.
冶金物理化学、硫化矿、半导体溶液界面、浸出、氧化机理、电化学
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TF01;TF803.21;TF111.31(一般性问题)
国家自然科学基金50204001
2004-07-09(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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