10.3760/cma.j.issn.1674-845X.2013.07.011
准分子激光上皮下角膜磨镶术中应用丝裂霉素C对角膜内皮及后表面的影响
目的 探讨准分子激光上皮下角膜磨镶术(LASEK)术中应用0.02%丝裂霉素C(MMC)对角膜内皮及后表面的影响.方法 前瞻性连续性双盲病例研究.在复旦大学附属眼耳鼻喉科医院行LASEK手术的连续病例33例(66眼),随机选择一眼,在准分子激光切削后在基质床面留置0.02%MMC棉片20 s,另一眼不应用MMC;对比患者术后3、6个月中央角膜内皮细胞计数、变异系数以及角膜后表面前移量.采用配对t检验进行统计学分析.结果 术后3、6个月MMC应用眼的内皮细胞密度分别为(3353.3±290.3)个/mm2、(3407.6±298.4)个/mm2;变异系数分别为(13.36±6.29)%、(13.48±4.34)%;对照眼相应时间段的内皮细胞密度分别为(3258.7±284.6)个/mm2、(3339.2±213.4)个/mm2;变异系数分别为(14.52±7.85)%、(14.06±6.50)%,各参数差异均无统计学意义.术后3、6个月MMC应用眼的角膜后表面前移量分别为(-0.67±2.26)μm、(-0.52±2.67)μm;角膜后表面曲率改变分别为(0.01±0.20)D、(0.01±0.21)D;对照眼相应时间段的角膜后表面前移量分别为(-0.85±2.31)μm、(-0.15±3.00)μm;角膜后表面曲率改变分别为(-0.01±0.22)D、(0.05±0.17)D,差异均无统计学意义.结论 LASEK术中使用0.02% MMC对角膜内皮细胞密度、变异系数、角膜后表面高度等无明显影响,安全性较高.
丝裂霉素C、角膜磨镶术、激光上皮下、角膜内皮、角膜后表面
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R778.11;R473.6;R197.323
2013-09-03(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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