基于Ka波段分布式MEMS移相器芯片微封装研究

摘要：

本文提出一种适用于Ka波段分布式MEMS移相器的新型封装结构--具有垂直互连线的薄硅作为分布式MEMS移相器衬底,并用芯片微封装方法对移相器进行封装.采用CST模拟软件研究封装结构对移相器射频性能影响,模拟结构表明:当封装结构衬底厚度、垂直互连线半径和空腔高度分别为450 μm、50 μm和80 μm时,Ka波段分布式MEMS移相器的插入损耗小于0.55 dB,回波损耗优于12 dB,相移量具有很好的线性关系,说明该新型封装结构非常适合RF MEMS器件低成本批量封装.

关键词：Ka波段、MEMS移相器、芯片微封装、薄衬底、垂直互连线

所属期刊栏目：28

分类号：LTN928

在线出版日期：2007-03-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：23-28