硅PN结基底TiO2氧传感器的特性研究
万方数据知识服务平台
应用市场
我的应用
会员HOT
万方期刊
×

点击收藏,不怕下次找不到~

@万方数据
会员HOT

期刊专题

10.3321/j.issn:0254-3087.2006.z2.252

硅PN结基底TiO2氧传感器的特性研究

引用
采用薄膜工艺及MEMS工艺研制了一种以硅PN结为基底材料的TiO2氧传感器,阐述了该传感器的工作原理、工艺流程及射频磁控溅射制备银电极及TiO2薄膜的方法.利用XRD、SEM分析了薄膜的表面形貌及晶粒结构.基于该结构的氧传感器具有良好的感特性及响应特性,具有响应时间短、信号线性度好、灵敏度高等优点.

薄膜、PN结、射频磁控溅射、氧传感器、金红石相

27

TP2(自动化技术及设备)

黑龙江省教育厅科学技术研究项目10531129

2006-12-05(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共2页

1625-1626

相关文献
评论
暂无封面信息
查看本期封面目录

仪器仪表学报

0254-3087

11-2179/TH

27

2006,27(z2)

相关作者
相关机构

专业内容知识聚合服务平台

国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”

国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304

©天津万方数据有限公司 津ICP备20003920号-1

信息网络传播视听节目许可证 许可证号:0108284

网络出版服务许可证:(总)网出证(京)字096号

违法和不良信息举报电话:4000115888    举报邮箱:problem@wanfangdata.com.cn

举报专区:https://www.12377.cn/

客服邮箱:op@wanfangdata.com.cn