共振隧穿二极管Ⅰ-Ⅴ特性的一致性测试与研究

摘要：

共振隧穿二极管(RTD)具有类似于硅的压阻特性.为了定量表达RTD的压阻特性,对其Ⅰ-Ⅴ特性一致性的研究显得十分必要.文中设计一个恒温、恒压实验测试系统,测试同一个RTD结构在不同时间的Ⅰ-Ⅴ特性.实验结果表明,RTD结构的电阻在不同时间的最大相对漂移量小于3%.随后测试仪器的测量误差,发现其中1%的相对漂移量由测试仪器造成.

关键词：共振隧穿二极管、Ⅰ-Ⅴ特性、一致性、压阻特性

所属期刊栏目：27

分类号：TN3(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金50405025;50375050

在线出版日期：2006-12-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：1189-1191