10.3321/j.issn:0254-3087.2003.z2.109
AlN薄膜的制备与刻蚀工艺研究
采用直流磁控反应溅射法,在Si(100)和Pt/Ti/Si(100)上制备了具有较好(002)择优取向性的AlN薄膜.采用典型的半导体光刻工艺,利用刻蚀溶液成功地获得了AlN薄膜微图形.较好地解决了AlN薄膜制备与加工中存在的关键问题,为高品质硅基AlN薄膜滤波器的实现奠定了良好的工艺基础.
氮化铝薄膜、直流磁控反应溅射、择优取向、刻、蚀
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TN3(半导体技术)
2003-12-26(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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