10.3321/j.issn:0254-3087.2002.z2.138
多晶锗硅(Poly-Si0.7Ge0.3)薄膜的制备
采用超高真空CVD (UHV/CVD)系统制备了多晶锗硅poly-Si1-xGex薄膜,Raman测试确定了Ge的组份,研究了其电阻温度特性,电阻温度系数TCR可达-2.10%/℃ .
多晶锗硅、Raman、电阻温度系数
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TP2(自动化技术及设备)
国家自然科学基金59995550-1;面向21世纪教育振兴行动计划985计划
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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