LSMCD技术制备镧钛酸铅薄膜

摘要：

详细介绍了采用LSMCD技术制备了PLT薄膜制备流程,并对薄膜的相结构做了分析.制备PLT薄膜的最佳热处理工艺为预处理300℃,保温10分钟,然后退火至600℃,保温1小时.

关键词：LSMCD、镧钛酸铅、薄膜

所属期刊栏目：23

分类号：TP2(自动化技术及设备)

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共2页

页码：313-314