高介电常数介质对电容层析成像传感器灵敏场影响的研究

摘要：

以有限元仿真实验为基础,通过高介电常数介质在ECT传感器内不同分布时灵敏场的比较研究,结果表明,传感器内部各处灵敏度变化不仅与管内高介电常数介质的大小和分布有关,还与该点在灵敏场中所处的位置有关.总结一般规律为:高介电常数介质所在的区域以及附近的区域灵敏度变化最大;越靠近电极附近的区域灵敏度的变化越大;高介电常数介质对灵敏场的影响在传感器内部呈马鞍形分布.

关键词：层析成像、有限元、灵敏场、传感器

所属期刊栏目：23

分类号：TP2(自动化技术及设备)

资助基金：国家自然科学基金59995460-5;国家高技术研究发展计划863计划2001AA413210

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共2页

页码：66-67