10.3969/j.issn.1006-0308.2021.03.021
PVT法生长6英寸4H-SiC晶体的工艺研究
针对物理气相传输(PVT)方法生长6英寸4H-SiC单晶的工艺过程,研究了晶体生长的生长温度、温度梯度和生长腔室内气压对晶体生长的影响.通过实验的方式,着重研究不同温度梯度下生长的碳化硅单晶质量,确定出合理的碳化硅单晶生长工艺,成功得到直径153 mm、厚度11 mm的晶锭.对该晶体使用拉曼光谱仪进行晶型检测,6英寸4H-SiC的面积达100%.
碳化硅(SiC)、物理气相传输(PVT)、单晶
50
TQ163+.4
国家科技重大专项2019ZE00704
2021-07-14(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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