PVT法生长6英寸4H-SiC晶体的工艺研究
万方数据知识服务平台
应用市场
我的应用
会员HOT
万方期刊
×

点击收藏,不怕下次找不到~

@万方数据
会员HOT

期刊专题

10.3969/j.issn.1006-0308.2021.03.021

PVT法生长6英寸4H-SiC晶体的工艺研究

引用
针对物理气相传输(PVT)方法生长6英寸4H-SiC单晶的工艺过程,研究了晶体生长的生长温度、温度梯度和生长腔室内气压对晶体生长的影响.通过实验的方式,着重研究不同温度梯度下生长的碳化硅单晶质量,确定出合理的碳化硅单晶生长工艺,成功得到直径153 mm、厚度11 mm的晶锭.对该晶体使用拉曼光谱仪进行晶型检测,6英寸4H-SiC的面积达100%.

碳化硅(SiC)、物理气相传输(PVT)、单晶

50

TQ163+.4

国家科技重大专项2019ZE00704

2021-07-14(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共6页

91-96

相关文献
评论
暂无封面信息
查看本期封面目录

云南冶金

1006-0308

53-1057/TF

50

2021,50(3)

相关作者
相关机构

专业内容知识聚合服务平台

国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”

国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304

©天津万方数据有限公司 津ICP备20003920号-1

信息网络传播视听节目许可证 许可证号:0108284

网络出版服务许可证:(总)网出证(京)字096号

违法和不良信息举报电话:4000115888    举报邮箱:problem@wanfangdata.com.cn

举报专区:https://www.12377.cn/

客服邮箱:op@wanfangdata.com.cn