10.3969/j.issn.1006-0308.2020.04.026
偏析提纯过程中晶粒的生长特性分析
研究了偏析提纯过程中晶粒的生长特性,分析了其成因及理论基础得到: (1)在熔炼金属的过程中,应尽量保持容器洁净并提高真空度,达到净化金属、控制形核能力的目的;(2)在偏析提纯所形成的近似稳定的二维热场下,晶粒的生长最后也稳定为二维方向生长;(3)合理地控制工艺参数,使柱状晶的粗化过程进一步发展,可得到单晶组织,且单晶组织有利于杂质元素的快速扩散,是获得高纯金属的重要途径.
偏析提纯、晶粒生长
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O781(晶体生长)
云南省青年项目2018FD135
2020-09-29(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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119-122