超高纯锗多晶材料制备工艺方法研究

摘要：

高纯锗属于半导体材料,一般通过区域熔炼法提纯制取,微量杂质元素会显著地使其电阻率降低.因此,习惯用(杂质)载流子浓度(通过电阻率和迁移率进行表征)来表示高纯锗的纯度, (杂质)载流子浓度越低,纯度越高.为提高超高纯锗多晶材料的纯度,适应空间暗物质、中微子探测、地质勘探等领域研究的需要,开展了超高纯锗多晶材料纯度的实验工艺优化实验研究.同时,进行了区熔次数的实验研究以改进工艺过程,以期找到一种新型的超高纯锗多晶材料制备工艺,使制备出的超高纯锗多晶材料纯度达到(12～13)N,载流子浓度＜1×1011/cm2,电阻率＞2×103 Ω·cm,迁移率＞1×104 cm2/(V ·s).

关键词：锗、区熔提纯、纯度

所属期刊栏目：49

分类号：O787(晶体生长)

在线出版日期：2020-04-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：56-60