10.3969/j.issn.1006-0308.2015.04.016
GD-MS法测定太阳能级多晶硅中痕量杂质元素含量
采用辉光放电质谱法(GD-MS)测定太阳能级多晶硅中B、Na、Mg、Al、K、Ca、Ti等20个痕量杂质元素.研究了GD-MS测定多晶硅的预溅射时间,优化和选择了仪器的工作参数、分辨率和用于分析的待测元素同位素.并将分析结果与电感耦合等离子体质谱法(ICP-MS)的分析结果进行对照以验证GD-MS无标分析的准确程度.实验结果表明,GD-MS法对B、Na、Mg、Al、K、Ca、Ti等元素测定结果的相对标准偏差(RSD)都小于25%,二者测定结果基本一致.
太阳能级多晶硅、辉光放电质谱法、准确度、精密度
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O657.63(分析化学)
2015-09-24(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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