碳热还原/氮化合成氮化硅工艺中碳化硅生成的分析

摘要：

碳热还原/氮化合成氮化硅在SiO2∶C=1∶4.5(摩尔比)、1 425 ～1 475℃、氮气中添加10 vol％氢气气氛、气体流量1 L/min条件下进行.生成物各相通过XRD定性分析.实验结果及热力学分析表明二氧化硅-碳-氮气反应体系中,氮化硅和碳化硅在常用温度区间内的生成趋势差别小;碳化硅成核在较高温度趋势较强,但在整个温度区间与氮化硅成核趋势均较强且差别细微;氮化硅晶体生长反应为控制步骤.在碳热还原/氮化工艺中控制Si3N4和SiC生成的边界温度并不明显,碳化硅的生成不可避免.

关键词：边界温度、生成趋势、控制步骤

所属期刊栏目：44

分类号：TG148(金属学与热处理)

在线出版日期：2015-08-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：47-49,73