可应用于四结砷化镓太阳电池的ZnS/MgF2/SiO2减反射膜的结构设计

摘要：

在采用磁控溅射方法分别制备单层ZnS、MgF2、SiO2薄膜及表征其折射率基础上,以折射率逐渐减小的三层结构(HML结构)思想,采用TFC光学薄膜软件,设计并模拟了可用于四结砷化镓(GaInP/GaAs/GaInAs/GaInAs)太阳电池的三层ZnS/MgF2/SiO2减反射膜系.并分析模拟了窗口层厚度、各膜层厚度和折射率以及光入射角对有效反射率的影响.结果表明:窗口层厚度、SiO2的折射率和ZnS膜层厚度对有效反射率Re的影响最为显著;在350～1 800 nm宽波段,当窗口层厚度为83 nm,膜系厚度分别为57 nm、37 nm和88 nm,且光入射角为0°时,有效反射率Re最小可达3.38％.

关键词：四结砷化镓太阳电池、三层减反射膜、宽光谱、TFC光学薄膜软件

所属期刊栏目：38

分类号：TM914.4+2

资助基金：国家自然科学基金资助项目61664010

在线出版日期：2018-06-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：6-10