PIN、NBP及NBN型InAsSb中波红外探测器光电性能研究

摘要：

系统探索了GaSb(001)衬底上InAsSb体材料的分子束外延生长和PIN型、NBP型及NBN型InAsSb单元单色红外探测器的制备工艺,并对其光学、电学等相关物理特性进行了研究对比.PIN型InAsSb单元探测器的R0A为224 Ω·cm2(100K),77K下峰值探测率为3.6×1010cmHz1/2/W.NBN型和NBP型InAsSb单元探测器的R0A都达到了105Ω·cm2(100K)的量级,但NBN型比NBP型的R0A值更大,暗电流密度更低,77 K下峰值探测率分别为8.5×1012 cmHz1/2/W和2.4×108 cmHz1/2/W.最后制备完成了50％截止波长为3.8μm(PIN型)、3.4μm(NBP型)、2.6 μm(NBN型)的InAsSb单元探测器.

关键词：分子束外延、InAsSb、中波、红外探测器

所属期刊栏目：36

分类号：TB334(工程材料学)

资助基金：国家自然科学基金资助项目11474248,61176127,61006085,61274013;国际科技合作基金重点资助项目2011DFA62380

在线出版日期：2016-11-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：44-49