CuXSe2(X=Al,Ga,In)中电子与晶体结构关系的研究

摘要：

利用第一性原理研究对太阳能材料ZnSe和CuXSe2(X=Al,Ga,In)的结构进行优化并计算.重点分析电子在二元和三元半导体材料中对形变参数、键长等的影响.发现在二元半导体不会发生形变是由于电荷只在Zn与Se之间转移,整体显示电中性,而三元半导体中电荷不仅在分子内部转移,而且在分子间也有相互作用,造成整个分子带有一定的电荷,导致了结构的形变,且随着X原子序数的增加u值减小.

关键词：ZnSe、CuXSe2、结构、电荷、性质

所属期刊栏目：36

分类号：TM914.4

资助基金：河南省高等学校重点科研项目计划15A140037;信阳师范学院华锐学院青年项目2014qn34

在线出版日期：2016-11-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：14-17