PECVD制备p型氢化硅氧薄膜及其光电性能研究

摘要：

采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)方法,在高气压、高氢稀释比和高功率密度条件下,以硅烷和二氧化碳为反应气体,硼烷为掺杂气体,在玻璃衬底上沉积了一系列的p型氢化非晶硅氧(p-SiOx:H)薄膜.利用Raman谱、XRD衍射谱、UV-VIS透射谱以及绝缘电阻测试仪等手段,分析了不同二氧化碳气体流量比对氢化硅氧薄膜的微结构和光电特性的影响.研究结果表明:薄膜为典型的非晶相;随着掺入气体CO2流量增加,薄膜沉积速率RG上升、光学带隙Eg及激活能Ea增大.

关键词：氢化非晶硅氧、光学带隙、CO2、激活能、PECVD

所属期刊栏目：36

分类号：TB383;TM914(工程材料学)

资助基金：国家科技部国际科技合作专项基金资助项目S2012ZR0054

在线出版日期：2016-11-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：5-8