电子束蒸发制备的ZnS薄膜的物相结构和光学性能
用电子束蒸发法在不同衬底温度下制备了厚度为100 nm左右的ZnS薄膜,利用X射线衍射(XRD)、紫外可见光分光光度计(UV-vis Spectrophotometer)研究了ZnS薄膜的晶体结构、光学性能,分析了衬底温度对ZnS薄膜结构与光学特性的影响.结果表明:不同衬底温度下制备的ZnS薄膜均具有闪锌矿结构(111)面择优取向生长的特征;衬底温度为200℃时制备的ZnS薄膜的(111)晶面衍射峰最强,半高宽最小,晶粒最大;制备的ZnS薄膜对可见光有良好的透过性,由于量子尺寸效应,电子束蒸发制备的ZnS薄膜光学带隙大于ZnS粉末的带隙.
ZnS薄膜、CIGS太阳电池、无镉缓冲层、电子束蒸发、物相结构、光学带隙
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O484.4(固体物理学)
国家自然科学基金云南联合基金资助项目U1037604
2014-04-21(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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