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10.7699/j.ynnu.ns-2014-019

电子束蒸发制备的ZnS薄膜的物相结构和光学性能

引用
用电子束蒸发法在不同衬底温度下制备了厚度为100 nm左右的ZnS薄膜,利用X射线衍射(XRD)、紫外可见光分光光度计(UV-vis Spectrophotometer)研究了ZnS薄膜的晶体结构、光学性能,分析了衬底温度对ZnS薄膜结构与光学特性的影响.结果表明:不同衬底温度下制备的ZnS薄膜均具有闪锌矿结构(111)面择优取向生长的特征;衬底温度为200℃时制备的ZnS薄膜的(111)晶面衍射峰最强,半高宽最小,晶粒最大;制备的ZnS薄膜对可见光有良好的透过性,由于量子尺寸效应,电子束蒸发制备的ZnS薄膜光学带隙大于ZnS粉末的带隙.

ZnS薄膜、CIGS太阳电池、无镉缓冲层、电子束蒸发、物相结构、光学带隙

34

O484.4(固体物理学)

国家自然科学基金云南联合基金资助项目U1037604

2014-04-21(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

26-29

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云南师范大学学报(自然科学版)

1007-9793

53-1046/N

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2014,34(2)

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