金属辅助湿法化学刻蚀黑硅机理的探讨

摘要：

为了理解金属辅助湿法化学刻蚀的机理,单晶硅片分别在氢氟酸/过氧化氢/氯金酸(HF/H2O2/HAuCl4)体系、氢氟酸/硝酸/硝酸银(HF/HNO3/AgNO3)体系、氢氟酸/过氧化氢/硝酸铜(HF/H2O2/Cu(NO3)2)体系中被刻蚀,经过三种体系刻蚀的单晶硅样品的减重量与减薄量之比值分别约为1.622、0.960、0.560.利用电动模型分析认为:差异性刻蚀的发生主要取决于电子的得失和电荷的传输两个方面.

关键词：黑硅、增强广谱吸收、金字塔绒面

所属期刊栏目：33

分类号：TN305.2(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金资助项目61066004,U1037604

在线出版日期：2013-10-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：22-28